Me llega una nota de prensa en la que informa que Toshiba Corporation ha anunciado el desarrollo de una nueva memoria FeRAM (Memoria de acceso aleatorio Ferroeléctrica) con la que se alcanza un nuevo récord en velocidad y densidad de almacenamiento de las memorias flash. En concreto, presenta una capacidad de almacenamiento de 64 Megabits y es capaz de leer y escribir a una velocidad de hasta 200 Mbps, con lo que se consigue un mejor rendimiento.
El chip está fabricado con tecnología CMOS de 130 nanómetros, basada en la arquitectura chainFeRAM de Toshiba, que permite reducir significativamente el tamaño de las celdas de memoria. Además, esta memoria cuenta con un circuito integrado que reduce el ruido durante las operaciones de lectura, y un sistema para comprobar y corregir errores al trabajar a gran velocidad asegurando la fiabilidad del sistema, incluso bajo las condiciones más desfavorables.
El aumento del rendimiento de la nueva memoria se debe a la implementación de transferencias en modo ráfaga a gran velocidad, que permite leer y escribir hasta a 200 Mbps, una velocidad nunca antes alcanzada por una memoria de este tipo.
Esta nueva memoria RAM combina la velocidad en las operaciones características de las DRAM y SRAM, con la capacidad de las memorias flash para retener datos sin necesidad de estar encendida. Toshiba continuará investigando en este nuevo tipo de memorias FeRAM, y en sus posibilidades de aplicación, sobre todo a la hora de dotar de mayor rendimiento a su amplia gama de dispositivos móviles, tanto de electrónica de consumo como informáticos.
Más info en Toshiba Japan (inglés)
